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Samsung PCIe 4.0 x4 PM9A3 M.2 200 1.920 GB Solid-State-Drive 1,92 GB

Massenspeicher 
TypSolid State Drive
Festplattenlaufwerk 
FestplattentypInternes Festplattenlaufwerk
Formfaktor M.2 22110
Formfaktor (metrisch)M.2 22110
Formfaktor (kurz)M.2
Formfaktor (kurz) (metrisch)M.2
SpeicherschnittstellePCI Express 4.0 x4 (NVMe)
SchnittstellePCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kapazität1,92 TB
NAND-Flash-SpeichertypMulti-Level-Cell (MLC)
Interner Datendurchsatz5500 MBps
Interne Datenrate (Schreiben)2000 MBps
4 KB Random Read800000 IOPS
4 KB Random Write85000 IOPS
Byte pro Sektor512
Nicht-korrigierbare Datenfehler1 pro 10^17
MerkmaleSamsung Elpis Controller, V-NAND Technology
Bereitgestellte Schnittstelle 
SchnittstellenPCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Erforderlicher Einschub 
Kompatibles SchaltfeldM.2 22110
Energieverbrauch 
Energieverbrauch8.2 Watt (Schreiben), 2.5 Watt (Leerlauf), 8 Watt (Lesen)
Verschiedenes 
Verschlüsselungsalgorithmus256-bit AES-XTS
VerschlüsselungsinformationenTCG Opal Encryption 2.0
HardwareverschlüsselungJa
MTBF2,000,000 Stunden
KennzeichnungIC, FCC, RoHS, KCC, Halogenfrei, RCM, TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB
Abmessungen und Gewicht 
Breite22 mm
Tiefe110 mm
Höhe3,8 mm
Gewicht20 g
Stoß- und Vibrationstoleranz 
Stoßbeschleunigung (Ruhezustand)1500 g
Vibrationsbeschleunigung (Ruhezustand)20 g
Vibrationsfrequenzbereich (Ruhezustand)10-2000 Hz
Umgebungsbedingungen 
Min Betriebstemperatur0 °C
Max. Betriebstemperatur70 °C
Min. Lagertemperatur-40 °C
Max. Lagertemperatur85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb5 - 95 % (nicht kondensierend)

Produktbeschreibung

Samsung PCIe 4.0 x4 PM9A3 M.2 200 1.920 GB Solid-State-Drive 1,92 GB

Produktbeschreibung:

PM9A3 1.92 TB SSD M.2 BULK - Solid State Disk -
NVMe Allgemeines Typ Solid State Disk Bauform
(Intern/Extern) Intern Auslieferungsausstattung
(Bulk/Retail) Bulk Festplatte Festplattentyp NVMe
Schnittstellen/Konnektivität Bus-Typ PCI PCI-Express
Technische Daten Speicherkapazität
Verpackung: Retail

Technische Details:

Allgemein
Gerätetyp
Solid State Drive - intern
Kapazität
1.92 TB
Hardwareverschlüsselung
Ja
Verschlüsselungsalgorithmus
256-bit AES-XTS
NAND-Flash-Speichertyp
Multi-Level-Cell (MLC)
Formfaktor
M.2 22110
Schnittstelle
PCIe 4.0 x4 (NVMe)
Byte pro Sektor
512
Merkmale
V-NAND Technology, Samsung Elpis Controller
Breite
22 mm
Tiefe
110 mm
Höhe
3.8 mm
Gewicht
20 g
Leistung
Interner Datendurchsatz
5500 MBps (lesen)/ 2000 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read
800000 IOPS
4 KB Random Write
85000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF
2,000,000 Stunden
Nicht-korrigierbare Datenfehler
1 pro 10^17
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen
PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
Kompatibles Schaltfeld
M.2 22110
Stromversorgung
Energieverbrauch
8 Watt (Lesen) ¦ 8.2 Watt (Schreiben) ¦ 2.5 Watt (Leerlauf)
Verschiedenes
Kennzeichnung
TUV, VCCI, BSMI, cUL, CB, IC, FCC, RoHS, KCC, halogenfrei, RCM
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur
0 °C
Max. Betriebstemperatur
70 °C
Min. Lagertemperatur
-40 °C
Max. Lagertemperatur
85 °C
Zulässige Luftfeuchtigkeit im Betrieb
5 - 95 % (nicht kondensierend)
Schocktoleranz (nicht in Betrieb)
1500 g
Vibrationstoleranz (nicht in Betrieb)
20 g @ 10-2000 Hz
Samsung Electronics GmbH Am Kronberger Hang 6 65824 Schwalbach / Ts. Tel.: 061967755577 info@samsung.de
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